Geniş alanlı MoS₂, manyetik hafızalı filmlerde enerji kaybını azaltır

Manchester Üniversitesi’ndeki bilim adamları, manyetik filmlerin atomik olarak ince molibden disülfit (MoS₂) üzerine yerleştirilmesinin, enerji kaybını temel olarak değiştirdiğini keşfettiler; bu, 2 boyutlu malzeme spintroniklerini gerçek cihazlara bir adım daha yaklaştırabilecek bir bulgu. Ekip, yaygın olarak kullanılan bir manyetik alaşım olan permalloy’un ultra-ince MoS₂ üzerinde büyütülmesinin, filmin iç kristal yapısını değiştirdiğini, manyetik dönüşler hareket ettikçe enerjinin nasıl ve nerede kaybolduğunu değiştirdiğini buldu. Araştırmacılar, filmin yüzeyinde meydana gelen enerji kayıplarını iç yapısından kaynaklanan enerji kayıplarından ayırarak, manyetizmayı daha verimli bir şekilde kontrol etmek için iki boyutlu (2D) malzemeler kullanan cihazlara yönelik yeni tasarım anlayışları sağlıyor.