Yüksek entropi oksitler kullanarak manyetik tünel kavşaklarında düşük direnç ve yüksek performans elde etmek

Bir NIMS araştırma ekibi, çoklu metalik elementlerden oluşan yüksek entropi oksitten yapılmış bir tünel bariyeri içeren bir Manyetik Tünel Kavşağı (MTJ) geliştirmiştir. Bu MTJ eşzamanlı olarak daha güçlü dik mıknatıslanma, daha yüksek bir tünel manyetoresistans (TMR) oranı (yani, iki ferromanyetik tabakanın mıknatıslama yönleri paralel ve antiparalel hizalamalar arasında geçiş yaparken elektrik direncindeki göreceli değişiklik gösterdi) ve daha düşük elektrik direnci gösterdi.