Osaka Üniversitesi’ndeki araştırmacılar, Ritsumeikan Üniversitesi ile işbirliği içinde, yarı kutuplu bir kristal düzlemde europium katkılı galyum nitrürün (Eu-katkılı GaN) büyütülmesinin kırmızı ışık emisyonunu önemli ölçüde iyileştirdiğini gösterdi. Ekip, bu yaklaşımın seçici olarak yüksek verimli Eu ışıldayan merkezlerin oluşumunu teşvik ettiğini ve bunun, geleneksel olarak yetiştirilen kutup düzlemi malzemesinden 3,6 kat daha yüksek kırmızı emisyon yoğunluğuyla sonuçlandığını buldu.



